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三氯化硼：半导体领域的蚀刻剂​
三氯化硼（BCl₃）是无色发烟液体，常温下易挥发为气体，相对密度 1.349（液体），沸点 12.5℃，遇水剧烈反应生成硼酸和盐酸，属于强腐蚀性有毒气体。其核心特性是对硅、硅化物的高选择性蚀刻能力，蚀刻速率可达 50-200nm/min，且蚀刻表面粗糙度≤0.5nm，广泛用于半导体芯片制造的干法蚀刻工艺。​
生产采用氯气与硼砂反应法：在 800-1000℃高温下，硼砂（Na₂B₄O₇）与碳粉混合后通入氯气，生成三氯化硼气体，经冷凝精馏（纯度≥99.999%）得到成品。某半导体厂用其蚀刻硅基芯片的二氧化硅层，通过控制气体流量（100-300sccm）与反应温度（200-300℃），实现蚀刻精度 ±1nm，芯片良率提升至 98%。​

安全管控需严格遵循 GB 12265 危险化学品标准：储存于不锈钢压力容器（耐压≥2MPa），与水、醇类物质间距≥20 米；操作时佩戴氟化橡胶防化服与正压式呼吸器，作业区安装有毒气体报警仪（报警值≤0.5ppm）。泄漏时需用干沙覆盖吸收，严禁用水冲洗。
 
 
 
 
 

 

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