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六氟化钼：半导体掺杂的重要原料​
六氟化钼（MoF₆）是无色至淡黄色液体，熔点 17.5℃，沸点 34℃，易挥发，遇水剧烈反应生成钼酸和氢氟酸，属于强腐蚀性有毒物质。其核心应用是半导体芯片的钼掺杂工艺，能形成导电层（方块电阻 10-50Ω/□），提升芯片的电学性能。​
工业生产采用金属钼与氟气直接反应：在惰性气体保护下，将高纯钼粉（纯度≥99.999%）置于反应炉中，加热至 300-400℃，通入氟气反应生成六氟化钼，经冷凝、精馏提纯（纯度≥99.9995%）。某芯片厂用其制备钼硅化物导电层，掺杂均匀性误差≤2%，芯片开关速度提升 25%。​
安全管理需符合电子级化学品标准：储存于石英玻璃容器或镍合金储罐，设置恒温储存柜（温度 5-10℃）；作业区采用负压通风，配备氟化物专用废气处理装置。泄漏时用干沙或惰性吸附剂覆盖，救援人员需穿戴自给式呼吸器与防化服。

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