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四氟化锗（GeF₄）：半导体掺杂与新材料前驱体​

四氟化锗是无色有辛辣大蒜气味的气体，分子量 148.63，比重 2.126（空气 = 1），熔点 - 36.5℃，沸点 - 5.6℃，临界温度 131.3℃，临界压力 4.7MPa，易溶于水并剧烈水解，生成二氧化锗和氟锗酸（H₂GeF₆），产生大量白烟，与乙醇、乙醚等有机溶剂部分互溶。作为半导体工业的关键材料，高纯度四氟化锗（纯度≥99.999%）用于离子注入和掺杂工艺，与乙硅烷结合可在玻璃基底上制造硅锗（SiGe）微晶薄膜，这些薄膜具有优异的电学和光学性能，广泛应用于高速晶体管、红外探测器等器件；同时，四氟化锗是制备高纯锗的重要前驱体，高纯锗用于半导体芯片、核辐射探测器等领域，还用于研究锗化合物的性质和反应机理，为新材料开发提供基础数据。​
四氟化锗具有强腐蚀性和毒性，被列为危险品（UN 编号 3288），对皮肤、眼睛和呼吸道有强烈刺激作用，吸入会引发咽喉疼痛、咳嗽、呼吸困难，甚至肺水肿；皮肤接触会造成化学灼伤，水解产生的氟锗酸具有强酸性，腐蚀作用显著。与有机物质（如烃类、醇类）接触可能引发危险反应，释放有毒气体。操作一定要佩戴全套防护装备，包括自给正压式呼吸器、防腐蚀手套、护目镜和防毒服，操作环境需配备通风系统和紧急冲淋设备。储存需严格密封，置于干燥通风库房，远离火源、有机物和水源，使用钢瓶储存时需配备减压阀和止回阀。泄漏时需立即启动应急通风，用惰性材料（如沙土、蛭石）吸收泄漏物，应急处理需遵循 S26（不慎接触眼睛，立即用大量清水冲洗并就医）、S45（发生事故或感觉不适，立即就医）等安全术语要求，严禁在泄漏区使用含水物质。​

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