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三氯化硼：半导体刻蚀与硼源核心材料特性及应用
三氯化硼（BCl₃）是一种无色发烟、有强烈刺激性气味的无机化合物，分子量117.17，熔点-107.3℃，沸点12.5℃，密度比空气大，不可燃，具有强路易斯酸性与高反应活性。其核心化学特性是遇水剧烈水解生成氯化氢和硼酸，释放大量热量，在潮湿空气中会因水解产生腐蚀性烟雾，醇中则分解为盐酸和硼酸酯，这也决定了它的储存与使用需严格隔绝水汽。
工业上，三氯化硼通常以氧化硼与碳在500-800℃直接氯化制备，或通过三氯化铝与三氟化硼的卤素交换反应合成。它在电子工业中应用核心，高纯三氯化硼（5N及以上）是半导体干法刻蚀的关键气体，可准确去除铝、二硅化钼等金属及合金表面氧化层，实现各向异性刻蚀；同时作为硼源用于离子注入，形成P型半导体区域，适配集成电路、第三代半导体等制造环节。此外，它还用于有机合成催化剂、金属精炼添加剂，以及氮化硼等硼化合物制备，在光伏电池扩散掺杂工艺中也发挥重要作用。但它属于剧毒化学品，对眼、皮肤和呼吸道有强腐蚀性，吸入可能引发肺水肿，操作需全程密闭并做好防护。

 
 
 
 
 

 

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