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四氟化锗:锗半导体前驱体的性能及光学/电子领域应用
四氟化锗(GeF₄)是锗的重要氟化物,常温下为无色气体,分子量148.63,熔点-15℃,沸点-36.5℃,密度约5.6g/L,分子呈正四面体构型,化学性质活泼,遇水易水解生成二氧化锗和氟化氢,在潮湿空气中会发烟,且具有较强腐蚀性。它可溶于乙醇、乙醚等有机溶剂,与碱反应生成氟锗酸盐,高温下稳定性较好,是制备高纯锗及相关化合物的关键中间体。
工业制备通常通过金属锗与氟气直接反应,或二氧化锗与氟化氢在加热条件下合成,产物经精馏可获得高纯品。电子工业中,四氟化锗是锗半导体材料的核心前驱体,用于化学气相沉积(CVD)制备锗薄膜,适配红外光学器件、半导体传感器等制造;在光纤通信领域,可作为掺杂剂改善光纤的光学性能,提升信号传输稳定性。此外,它还用于有机锗化合物合成,在医药、化工领域有潜在应用价值。但四氟化锗水解产物氟化氢具有强腐蚀性,且本身有毒,操作需在通风橱中进行,储存需采用耐腐蚀容器并严格隔绝水分,防止泄漏危害人员健康与环境。

 
 
 
 
 

 

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